IPD068N10N3GATMA1 vs IPD90N06S404ATMA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD068N10N3GATMA1 توسط Infineon و IPD90N06S404ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD068N10N3GATMA1 IPD90N06S404ATMA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD068N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Green Product)
سطح MSL 1 MSL1
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101
Polarity — Single N-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت