IPD50P04P413ATMA2 vs IPB180P04P4L02ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50P04P413ATMA2 بواسطة Infineon و IPB180P04P4L02ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD50P04P413ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (junction)
العلبة PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
حالة RoHS Compliant Compliant (per Infineon product page)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-P2
نوع الترانزستور — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
عدد الأطراف — 7 (6 + tab)
Tab Connection — Drain

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر