IPD50P04P413ATMA2 vs IPB180P04P4L02ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50P04P413ATMA2 tarafından Infineon ve IPB180P04P4L02ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD50P04P413ATMA2 IPB180P04P4L02ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity / Device Type P-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-P2 (Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) -40 V 40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) 50 A —
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) 58 W —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) —
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Maximum Junction Temperature (TJ,max) 175 °C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (junction)
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-7-3 (D2PAK-6, 7-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Standard Pack Quantity (13" reel) 2500 pcs —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant Compliant (per Infineon product page)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-P2
Transistor Türü — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
On-State Resistance RDS(on) max — 2.4 mOhm at VGS = -10 V (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Pin Sayısı — 7 (6 + tab)
Tab Connection — Drain

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin