IPD5N25S3430ATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD5N25S3430ATMA1 بواسطة Infineon و BSC155N06NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD5N25S3430ATMA1 | BSC155N06NDATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (planar-trench) | OptiMOS 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 20 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 430 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V typ / 4 V max | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 422 pF typical | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 41 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| حالة RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead Finish | Matte Tin (lead-free) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Configuration | Single, 3-pin (2+Tab) | Dual N-channel MOSFET array |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC155N06NDATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 15.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Lead-Free Plating | — | Yes |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | — | < 0.8 |