IPD5N25S3430ATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD5N25S3430ATMA1 tarafından Infineon ve BSC155N06NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD5N25S3430ATMA1 | BSC155N06NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (planar-trench) | OptiMOS 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 20 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 430 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V typ / 4 V max | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 422 pF typical | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 41 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Durumu | ROHS3 Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead Finish | Matte Tin (lead-free) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Configuration | Single, 3-pin (2+Tab) | Dual N-channel MOSFET array |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC155N06NDATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 15.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Lead-Free Plating | — | Yes |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | — | < 0.8 |