IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD600N25N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R600C6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD600N25N3GATMA1 | IPD60R600C6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| جهد عتبة البوابة | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | CoolMOS C6 (Superjunction) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Series | — | CoolMOS C6 |
| Part Suffix | — | ATMA1 (Tape & Reel) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 7.3 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 600 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | — | 63 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C |
| عدد الدبابيس | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| مستوى MSL | — | 1 |