IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD600N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R600C6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD600N25N3GATMA1 | IPD60R600C6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | CoolMOS C6 (Superjunction) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Series | — | CoolMOS C6 |
| Part Suffix | — | ATMA1 (Tape & Reel) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 7.3 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 600 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | — | 63 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +150 °C |
| پنز کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | 1 |