IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90P04P4L04ATMA2 بواسطة Infineon و IPD35N10S3L26ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD90P04P4L04ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | IPD90P04P4L04ATMA2 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family | OptiMOS-P2 | — |
| Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | -90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 125 W | — |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 35 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| عدد الأطراف | — | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Lead-Free | — | Yes |