IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından Infineon ve IPD35N10S3L26ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD90P04P4L04ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Part Number | IPD90P04P4L04ATMA2 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family | OptiMOS-P2 | — |
| Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | -90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 125 W | — |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS-T |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 35 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| Pin Sayısı | — | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| Lead-Free | — | Yes |