IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD90P04P4L04ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD35N10S3L26ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ فعال
Infineon
IPD35N10S3L26ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD35N10S3L26ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD90P04P4L04ATMA2 IPD35N10S3L26ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
پیکیج PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS-T
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 35 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 24 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc) — 71 W
Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range]
پن کی تعداد — 3 (Drain, Source, Gate + tab)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS-T)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں