IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90P04P4L04ATMA2 بواسطة Infineon و IPD90P04P405ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD90P04P4L04ATMA2 | IPD90P04P405ATMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | IPD90P04P4L04ATMA2 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Family | OptiMOS-P2 | — |
| Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | -90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 125 W | — |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | -90 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | — | 4.7 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Process Technology | — | OptiMOS-P2 (trench + field plate) |