IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD90P04P405ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından Infineon ve IPD90P04P405ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P405ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (Tj)
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin