IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG16N10S461AATMA1 بواسطة Infineon و IPG20N06S4L14AATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPG16N10S461AATMA1 | IPG20N06S4L14AATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Type | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | OptiMOS™ Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 16 A | 20 A (per channel) |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | 61 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 29 W (T_C = 25°C) | — |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual, separate) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (junction) |
| العلبة | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Count | 8 | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Part Number | — | IPG20N06S4L14AATMA1 |
| FET Type | — | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 50 W |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 13.7 mΩ typical |
| RDS(on) at VGS=4.5V | — | 14 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Peak Reflow Temperature | — | 260°C |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green Product (RoHS compliant) |
| AOI Compatible | — | Yes (Wettable Flank) |