IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N06S4L14AATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG16N10S461AATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N06S4L14AATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 - 60V Dual N-Ch 14mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N06S4L14AATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG16N10S461AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS™ Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A 20 A (per channel)
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (junction)
Paket PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant —
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
Part Number — IPG20N06S4L14AATMA1
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Power Dissipation (PD) — 50 W
RDS(on) at VGS=10V — 13.7 mΩ typical
RDS(on) at VGS=4.5V — 14 mΩ typical
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Logic-Level Gate Drive — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Peak Reflow Temperature — 260°C
Avalanche Tested — 100% (per datasheet)
RoHS Compliance — Green Product (RoHS compliant)
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin