IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R115CFD7AUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R105P7AUMA1 بواسطة Infineon و IPL60R115CFD7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPL60R105P7AUMA1 | IPL60R115CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS CFD7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listings) |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Part Number | — | IPL60R115CFD7AUMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 22 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 115 mOhm (typ, VGS=10V) |
| العلبة / الحالة | — | PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad |
| Integrated Body Diode | — | Yes - fast body diode (CFD) |
| Application | — | Resonant high-power topologies (LLC, PFC) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| عدد الأطراف | — | 4 |
| Quantity per Reel | — | [DATA_NEEDED: reel qty] |