IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R115CFD7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R105P7AUMA1 tarafından Infineon ve IPL60R115CFD7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R105P7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per distributor listings)
Klorürsüz Yes —
Lead-Free Yes —
Part Number — IPL60R115CFD7AUMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 22 A
On-Resistance (RDS(on)) — 115 mOhm (typ, VGS=10V)
Paket / Kas — PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad
Integrated Body Diode — Yes - fast body diode (CFD)
Application — Resonant high-power topologies (LLC, PFC)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Pin Sayısı — 4
Quantity per Reel — [DATA_NEEDED: reel qty]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin