IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R115CFD7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R115CFD7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL60R105P7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per distributor listings)
ہیلوجن فری Yes —
Lead-Free Yes —
Part Number — IPL60R115CFD7AUMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 22 A
On-Resistance (RDS(on)) — 115 mOhm (typ, VGS=10V)
پیکیج / کیس — PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad
Integrated Body Diode — Yes - fast body diode (CFD)
Application — Resonant high-power topologies (LLC, PFC)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
پن کی تعداد — 4
Quantity per Reel — [DATA_NEEDED: reel qty]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں