IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R115CFD7AUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL60R105P7AUMA1 מאת Infineon ו IPL60R115CFD7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPL60R115CFD7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 - 600V 22A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL60R115CFD7AUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPL60R105P7AUMA1 IPL60R115CFD7AUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (per distributor listings)
נטול הלוגנים Yes —
Lead-Free Yes —
Part Number — IPL60R115CFD7AUMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 22 A
On-Resistance (RDS(on)) — 115 mOhm (typ, VGS=10V)
מארז / Case — PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad
Integrated Body Diode — Yes - fast body diode (CFD)
Application — Resonant high-power topologies (LLC, PFC)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
מספר פינים — 4
Quantity per Reel — [DATA_NEEDED: reel qty]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר