IPN95R3K7P7ATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPN95R3K7P7ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN10S7N021ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPN95R3K7P7ATMA1 | IAUCN10S7N021ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | 175 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) |
| العلبة | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | -55 °C to +175 °C |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | — | 3.2 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | — | 105 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2.98 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 32 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 7.153 nF |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 217 W |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |