IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB3207ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP069N20NM6AKSA1 بواسطة Infineon و IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP069N20NM6AKSA1 IRFB3207ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A 120 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
العلبة PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
مستوى MSL N/A (through-hole package) N/A (through-hole)
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر