IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFB3207ZPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP069N20NM6AKSA1 توسط Infineon و IRFB3207ZPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP069N20NM6AKSA1 IRFB3207ZPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 136 A 120 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 6.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
سطح MSL N/A (through-hole package) N/A (through-hole)
Tab Connection Electrically connected to Drain —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت