IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT015N10NF2SATMA1 بواسطة Infineon و IPT017N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPT015N10NF2SATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 6 |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| عدد الأطراف | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |