IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPT015N10NF2SATMA1 bằng Infineon và IPT017N12NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPT015N10NF2SATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 6 |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| Năng lượng xung đơn | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C |
| Số chân | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |