IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT015N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور IPT017N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPT015N10NF2SATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 6 |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| سنگل پلس ایوالانچ انرجی | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| پن کی تعداد | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |