IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPTC017N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISZ230N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPTC017N12NM6ATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 331 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1.7 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 2.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge QG | 141 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.4 nF at VDS = 60 V | — |
| Output Capacitance Coss | 11000 pF at VDS = 60 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 395 W | 48 W |
| العلبة | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ max) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | 10 V |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| مستوى MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |