IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPTC017N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISZ230N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPTC017N12NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 395 W 48 W
Paket PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (junction)
MSL Seviyesi — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin