IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPTC017N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ230N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPTC017N12NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 395 W 48 W
پیکیج PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C (junction)
MSL لیول — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں