IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPTC017N12NM6ATMA1 bằng Infineon và ISZ230N10NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPTC017N12NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 395 W 48 W
Hộp PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +150 °C (junction)
Cấp MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá