IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPTC017N12NM6ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan ISZ230N10NM6ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPTC017N12NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 395 W 48 W
Kemasan PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
Status RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gambaran Suhu Operasi — -55 °C to +150 °C (junction)
Aras MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga