IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPTC017N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISZ230N10NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPTC017N12NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
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ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPTC017N12NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 395 W 48 W
पैकेज PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55 °C to +150 °C (junction)
MSL स्तर — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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