IPW60R180P7XKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPW60R180P7XKSA1 بواسطة Infineon و IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPW60R180P7XKSA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $0.88 |
| Technology | CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) | Superjunction (SJ) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 180 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25C) | 72 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Gate Drive Voltage (VGS, recommended) | 10 V (typical), +/-20 V max | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Body Diode | Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) | — |
| Integrated Gate Resistor | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Orderable Part Number | IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| عدد الأطراف | — | 3 (2 + Tab) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |