IPW60R180P7XKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R180P7XKSA1 IPB60R280P7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $0.88
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO263-3 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
پن کی تعداد — 3 (2 + Tab)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں