IPW60R180P7XKSA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPW60R180P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPW60R180P7XKSA1 IPB60R280P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,88
Technology CoolMOS P7 (Superjunction, 7th generation) Superjunction (SJ)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
On-Resistance RDS(on) max 180 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Pd, Tc=25C) 72 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Drive Voltage (VGS, recommended) 10 V (typical), +/-20 V max —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole, 3+tab pins) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Body Diode Fast body diode with low reverse recovery (Qrr) —
Integrated Gate Resistor Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Orderable Part Number IPW60R180P7XKSA1 (tube pack, industrial grade) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (T_j max)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin