IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| العلبة | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| عدد الأطراف | 9 | 9 (with exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | Dual-side cooling capable |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |