IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| پیکیج | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| پن کی تعداد | 9 | 9 (with exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | Dual-side cooling capable |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |