IR2010SPBF vs IR2110SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2010SPBF بواسطة Infineon و IR2110SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2010SPBF IR2110SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge (high + low side) —
Number of Drivers 2 (independent high/low-side outputs) —
Offset Voltage (max) 200 V —
Peak Source/Sink Current 3 A / 3 A —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.0 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ) 95 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
VCC Supply Voltage (low side) 10 V to 20 V —
VB Bootstrap Supply (high side) VCC + 10 V to VCC + 20 V —
درجة حرارة التشغيل -40C to +150C —
Shutdown Feature Yes (active input) —
العلبة 16-SOIC (SOIC-16) 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Drive Technology High-speed power MOSFET / IGBT driver —
Channel Matching Matched propagation delays for cross-conduction minimization —
الوظيفة — Half-bridge gate driver
البنية الطوبولوجية — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر