IR2010SPBF vs IR2110SPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IR2010SPBF بذریعہ Infineon اور IR2110SPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IR2010SPBF IR2110SPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Configuration Half-Bridge (high + low side) —
Number of Drivers 2 (independent high/low-side outputs) —
Offset Voltage (max) 200 V —
Peak Source/Sink Current 3 A / 3 A —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.0 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ) 95 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
VCC Supply Voltage (low side) 10 V to 20 V —
VB Bootstrap Supply (high side) VCC + 10 V to VCC + 20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +150C —
Shutdown Feature Yes (active input) —
پیکیج 16-SOIC (SOIC-16) 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Drive Technology High-speed power MOSFET / IGBT driver —
Channel Matching Matched propagation delays for cross-conduction minimization —
فنکشن — Half-bridge gate driver
ٹوپولوجی — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں