IR2010SPBF vs IR2110SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2010SPBF מאת Infineon ו IR2110SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2010SPBF IR2110SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge (high + low side) —
Number of Drivers 2 (independent high/low-side outputs) —
Offset Voltage (max) 200 V —
Peak Source/Sink Current 3 A / 3 A —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.0 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ) 95 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
VCC Supply Voltage (low side) 10 V to 20 V —
VB Bootstrap Supply (high side) VCC + 10 V to VCC + 20 V —
טמפרטורת פעולה -40C to +150C —
Shutdown Feature Yes (active input) —
מארז 16-SOIC (SOIC-16) 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Drive Technology High-speed power MOSFET / IGBT driver —
Channel Matching Matched propagation delays for cross-conduction minimization —
פונקציה — Half-bridge gate driver
טופולוגיה — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר