IRF530NPBF vs IRFZ44NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF530NPBF بواسطة Infineon و IRFZ44NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF530NPBF | IRFZ44NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | IRF530NPBF | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel HEXFET Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) | 17.5 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | 70 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| العلبة / الحالة | TO-220AB (through-hole) | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | N/A (through-hole) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 49 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 42 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 94 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 62 C/W |
| العلبة | — | TO-220AB (3-pin + tab) |
| Technology | — | HEXFET (Advanced Process) |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |