IRF530NPBF vs IRFZ44NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF530NPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ44NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF530NPBF IRFZ44NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) 17.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C -55C to +175C
پیکیج / کیس TO-220AB (through-hole) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول N/A (through-hole) —
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
پیکیج — TO-220AB (3-pin + tab)
Technology — HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں