IRF530NPBF vs IRFZ44NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF530NPBF bằng Infineon và IRFZ44NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ44NPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF530NPBF IRFZ44NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Kiểu transitor N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) 17.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +175 C -55C to +175C
Hộp / Vỏ TO-220AB (through-hole) —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL N/A (through-hole) —
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Hộp — TO-220AB (3-pin + tab)
Technology — HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá