IRF530NPBF vs IRFZ44NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF530NPBF tarafından Infineon ve IRFZ44NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF530NPBF IRFZ44NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Transistor Türü N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) 17.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C -55C to +175C
Paket / Kas TO-220AB (through-hole) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi N/A (through-hole) —
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
Paket — TO-220AB (3-pin + tab)
Technology — HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin