IRF7749L1TRPBF vs BSC0906NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7749L1TRPBF بواسطة Infineon و BSC0906NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7749L1TRPBF BSC0906NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7749L1TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25 C 200 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.9 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 1.5 mOhm at VGS=10 V —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) typ 1.1 mOhm at VGS=10 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC max [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 71 nC —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25 C 125 W —
Power Dissipation (Ptot) at TA=25 C 3.3 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 45 K/W max —
العلبة DirectFET Isometric L8 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction, typical)
عدد الأطراف — 8
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر