IRF7749L1TRPBF vs BSC0906NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7749L1TRPBF بذریعہ Infineon اور BSC0906NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF - 60V N-Channel HEXFET MOSFET DirectFET L8

IRF7749L1TRPBF - 60V N-Channel HEXFET MOSFET DirectFET L8

IRF7749L1TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7749L1TRPBF BSC0906NSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7749L1TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25 C 200 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.9 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 1.5 mOhm at VGS=10 V —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) typ 1.1 mOhm at VGS=10 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC max [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 71 nC —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25 C 125 W —
Power Dissipation (Ptot) at TA=25 C 3.3 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 45 K/W max —
پیکیج DirectFET Isometric L8 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
نمی حساسیت کی سطح (MSL) 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction, typical)
پن کی تعداد — 8
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں