IRF7749L1TRPBF vs BSC0906NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7749L1TRPBF توسط Infineon و BSC0906NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF7749L1TRPBF IRF7749L1TRPBF - 60V N-Channel HEXFET MOSFET DirectFET L8

IRF7749L1TRPBF - 60V N-Channel HEXFET MOSFET DirectFET L8

IRF7749L1TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7749L1TRPBF BSC0906NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7749L1TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25 C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25 C 200 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.9 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 1.5 mOhm at VGS=10 V —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) typ 1.1 mOhm at VGS=10 V —
Total Gate Charge (Qg) 200 nC max [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Gate-Drain Charge (Qgd) typ 71 nC —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25 C 125 W —
Power Dissipation (Ptot) at TA=25 C 3.3 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 45 K/W max —
بسته‌بندی DirectFET Isometric L8 PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction, typical)
تعداد پایه — 8
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت