IRF9530NPBF vs IRF9530NSTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF9530NPBF بواسطة Infineon و IRF9530NSTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF9530NPBF | IRF9530NSTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | -14 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 200 mΩ | 200 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 38.7 nC | — |
| Maximum Power Dissition at TC=25°C | 79 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +175°C | — |
| العلبة | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263-3) |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Mounting Screw Torque (max) | [DATA_NEEDED: maximum torque] | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dV/dt rated | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -14 A |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 38.7 nC (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 79 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Thermal Resistance Theta_JC | — | 1.5 C/W (typ) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix) |
| Technology | — | HEXFET (Planar DMOS) |
| Avalanche Rated | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |