IRF9530NPBF vs IRF9530NSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9530NPBF tarafından Infineon ve IRF9530NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9530NPBF IRF9530NSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C -14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mΩ 200 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ 38.7 nC —
Maximum Power Dissition at TC=25°C 79 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263-3)
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Mounting Screw Torque (max) [DATA_NEEDED: maximum torque] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dV/dt rated —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -14 A
Total Gate Charge (Qg) — 38.7 nC (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 79 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Thermal Resistance Theta_JC — 1.5 C/W (typ)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Technology — HEXFET (Planar DMOS)
Avalanche Rated — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin