IRF9530NPBF vs IRF9530NSTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF9530NPBF توسط Infineon و IRF9530NSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF9530NPBF IRF9530NSTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C -14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mΩ 200 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ 38.7 nC —
Maximum Power Dissition at TC=25°C 79 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263-3)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
Mounting Screw Torque (max) [DATA_NEEDED: maximum torque] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dV/dt rated —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -14 A
Total Gate Charge (Qg) — 38.7 nC (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 79 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Thermal Resistance Theta_JC — 1.5 C/W (typ)
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Technology — HEXFET (Planar DMOS)
Avalanche Rated — [DATA_NEEDED: EAS rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت