IRFB52N15DPBF vs IRFS52N15DPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB52N15DPBF بواسطة Infineon و IRFS52N15DPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB52N15DPBF IRFS52N15DPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 204 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 32 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) 60 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 230 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C -55C to +175C
Package Type TO-220AB (through-hole) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell) HEXFET (Planar Cell)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes (Pb-free PBF suffix) —
Qualification Standard Industrial market (per IR/Infineon) JEDEC
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 51 A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
RDS(on) max @ VGS=10V — 32 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 230 W
العلبة — D2PAK (TO-263) Surface Mount
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر