IRFB52N15DPBF vs IRFS52N15DPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB52N15DPBF توسط Infineon و IRFS52N15DPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB52N15DPBF IRFS52N15DPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 204 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 32 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) 60 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25C 230 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C -55C to +175C
Package Type TO-220AB (through-hole) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (vertical DMOS, hexagonal cell) HEXFET (Planar Cell)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes (Pb-free PBF suffix) —
Qualification Standard Industrial market (per IR/Infineon) JEDEC
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 51 A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
RDS(on) max @ VGS=10V — 32 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Power Dissipation (PD) @ TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) @ TC=25C — 230 W
بسته‌بندی — D2PAK (TO-263) Surface Mount
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت